Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si

  • З. А. Искандер-заде Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
  • М. Р. Ахундов Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
  • Е. А. Джафарова Институт физики НАНА, Баку, Азербайджан
  • Ш. А. Алиханова Институт физики НАНА, Баку, Азербайджан
Ключові слова: МОП-структура, переключение, элемент памяти, пороговое напряжение, время задержки, глубокие ловушки

Анотація

Исследованием вольт-амперных характеристик и нестационарных переходных процессов выяснены механизмы эффектов переключения и памяти в Al–SiO2–Si-структурах, возможность их практического применения в создании стабильных и управляемых элементов памяти.

Опубліковано
2004-04-30
Як цитувати
Искандер-заде, З. А., Ахундов, М. Р., Джафарова, Е. А., & Алиханова, Ш. А. (2004). Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 59-61. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59
Номер
№ 2 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Искендер-заде З. А., Ахундов М. Р., Джафарова Э. А., Алиханова Ш. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.