Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

  • В. А. Мокрицкий Одесский национальный политехнический университет, Украина
  • А. С. Гаркавенко Национальный авиационный университет, Киев, Украина
  • В. В. Зубарев Национальный авиационный университет, Киев, Украина
  • С. В. Ленков Национальный авиационный университет, Киев, Украина
Ключові слова: радиационное легирование, CdS, GaAs, быстрые нейтроны, ядерные реакции

Анотація

Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.

Опубліковано
2003-12-30
Як цитувати
Мокрицкий, В. А., Гаркавенко, А. С., Зубарев, В. В., & Ленков, С. В. (2003). Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 14-17. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14
Номер
№ 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Мокрицкий В. А., Гаркавенко А. С., Зубарев В. В., Ленков С. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.