Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • И. И. Марьямова Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • С. Н. Матвиенко Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Ю. Н. Ховерко Национальный университет «Львовская политехника», Украина
Ключові слова: поликремний на изоляторе, лазерная рекристаллизация, сенсор, криогенные температуры, магнитные поля

Анотація

Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·1018 см–3) могут быть рекомендованы в качестве высоко­чувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·1020 см–3). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.

Опубліковано
2003-12-30
Як цитувати
ДружининA. A., Марьямова, И. И., Матвиенко, С. Н., & Ховерко, Ю. Н. (2003). Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 10-13. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10
Номер
№ 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Дружинин А. А., Марьямова И. И., Матвиенко С. Н., Ховерко Ю. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.