Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения

  • К. В. Колежук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. Н. Комащенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Г. И. Шереметова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Ф. И. Коржинский Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. М. Чмиль НПП «Сатурн», Киев, Украина
Ключові слова: фотоприемники ультрафиолетового излучения, широкозонные полупроводники А2В6, слоистые гетероструктуры, спектральная характеристика, мониторинг УФ-излучения

Анотація

Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А2В6 и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.

Опубліковано
2003-06-30
Як цитувати
Колежук, К. В., Комащенко, В. Н., Шереметова, Г. И., Коржинский, Ф. И., & Чмиль, В. М. (2003). Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 51-52. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.51
Номер
№ 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Колежук К. В., Комащенко В. Н., Шереметова Г. И., Коржинский Ф. И., Чмиль В. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.