Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором

  • В. И. Корнейчук Одесская национальная академия связи им. О. С. Попова, Украина
  • О. А. Рогалевич Одесская национальная академия связи им. О. С. Попова, Украина
Ключові слова: фотоприемные устройства, ИК‑сигналы, p–i–n‑фотодиод, операционный усилитель, искусственный резистор, температурный шум

Анотація

Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.

Опубліковано
2003-04-30
Як цитувати
Корнейчук, В. И., & Рогалевич, О. А. (2003). Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 54-55. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.54
Номер
№ 2 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 В. И. Корнейчук, О. А. Рогалевич

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.