Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

  • З. Д. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • В. П. Махний Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • А. И. Янчук Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Украина
Ключові слова: фотодиоды, моноселенид галлия, моноселенид индия, электрические свойства, фотоэлектрические свойства, p–n‑переход, гетеропереход

Анотація

Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p–n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.

Опубліковано
2003-04-30
Як цитувати
Ковалюк, З. Д., Махний, В. П., & Янчук, А. И. (2003). Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 42-44. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.42
Номер
№ 2 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 З. Д. Ковалюк, В. П. Махний, А. И. Янчук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.