Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃

  • А. И. Казаков Одесский национальный политехнический университет, Украина
  • А. В. Андриянов Одесский национальный политехнический университет, Украина
  • В. С. Миронов Одесский национальный политехнический университет, Украина
  • О. В. Поляруш Одесский национальный политехнический университет, Украина
Ключові слова: тонкие пленки, HfO₂—Nd₂O₃, диэлектрические характеристики, электронно‑лучевое напыление, оптимизация параметров

Анотація

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2—Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2—Nd2O3.

Опубліковано
2003-02-28
Як цитувати
Казаков, А. И., Андриянов, А. В., Миронов, В. С., & Поляруш, О. В. (2003). Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 52-54. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.52
Номер
№ 1 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 А. И. Казаков, А. В. Андриянов, В. С. Миронов, О. В. Поляруш

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.