Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
Ключові слова:
жидкофазная эпитаксия, эпитаксиальные слои, комплексное легирование, редкоземельные элементы, электрофизические параметры
Анотація
Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование иттербием от 0 до 0,044 ат.% и алюминием 0,015 и 0,026 ат.% позволяет получать эпитаксиальные слои GaAs и InGaAs с подвижностью 50000 и 116000 см2/В·с, соответственно. Анализируются возможные механизмы влияния Yb и Al на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs.
Опубліковано
2002-12-30
Як цитувати
Круковский, С. И. (2002). Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 30-32. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.30
Розділ
Articles
Авторське право (c) 2002 Круковский С. И.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
