Спектральная фоточувствительность Ni–Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением

  • Ш. Д. Курмашев Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, Украина
  • И. М. Викулин Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
  • С. В Ленков Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
  • Р. Г. Сидорец Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
Ключові слова: поверхностно-барьерные структуры, спектры фоточувствительности, компенсированный золотом кремний, инжекционное усиление, биполярная дрейфовая подвижность

Анотація

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн λ=1,25…1,75 мкм и может достигать 10 и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении.

Опубліковано
2002-12-30
Як цитувати
Курмашев, Ш. Д., Викулин, И. М., Ленков, С. В., & Сидорец, Р. Г. (2002). Спектральная фоточувствительность Ni–Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 16-19. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.16
Номер
№ 6 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Курмашев Ш. Д., Викулин И. М., Ленков С. В., Сидорец Р. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.