Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия

  • В. А. Завадский Одесская национальная морская академия, Одесса, Украина
  • С. В. Ленков Национальный авиационный университет, Киев, Украина
  • Д. В. Лукомский Национальный авиационный университет, Киев, Украина
  • В. А. Мокрицкий Одесская национальная морская академия, Одесса, Украина
Ключові слова: GaAs, эпитаксиальные слои, облучение быстрыми нейтронами, подвижность носителей заряда

Анотація

Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·1015см–2) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·1015см–2) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда.

Опубліковано
2002-12-30
Як цитувати
Завадский, В. А., Ленков, С. В., Лукомский, Д. В., & Мокрицкий, В. А. (2002). Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 7-9. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.07
Номер
№ 6 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Завадский В. А., Ленков С. В., Лукомский Д. В., Мокрицкий В. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.