Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники

  • В. М. Ажажа ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • И. М. Неклюдов ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: высокочистые материалы, GaAs, геттерные материалы, очистка технологических газов

Анотація

Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr и др. металлов. Приведены результаты исследований по стойкости кварцевых тиглей с покрытиями в расплавах GaAs и Ga и результаты разработок геттерных материалов на основе сплавов Zr для очистки технологических газов. Показана важность комплексного подхода к проблеме высокочистых исходных материалов.

Опубліковано
2002-12-30
Як цитувати
Ажажа, В. М., Ковтун, Г. П., & Неклюдов, И. М. (2002). Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 3-6. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.03
Номер
№ 6 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Ажажа В. М., Ковтун Г. П., Неклюдов И. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.