Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

  • З. А. Искендер-заде Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
  • Ф. Д. Касимов Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
  • С. А. Исмаилова ОКБ космического приборостроения, Баку, Азербайджан
Ключові слова: косвенный лазерный нагрев, поликристаллический кремний, рекристаллизация, монокристаллические слои, активные элементы, микросхемы, датчики Холла

Анотація

Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.

Опубліковано
2002-10-30
Як цитувати
Искендер-заде, З. А., Касимов, Ф. Д., & Исмаилова, С. А. (2002). Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4–5), 40-42. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40
Номер
№ 4–5 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Искендер-заде З. А., Касимов Ф. Д., Исмайлова С. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.