Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах

Анотація

Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaN_х—Au, AuGe—TiB_х—Au, AuGe—TiB_х—Mo—Au и Ti—Au, TiN_х—Au, TiB_х—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм и концентрацией носителей (5...6)·10¹⁵ cм^–3. Показано, что контакты со слоями TiN_х, TaN_х, TiB_х мало изменяют параметры после термообработки при 550°C в течение 1 часа. Контакты со слоями Ti и Ta при термообработке 550°C резко изменяют свои характеристики.