Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2023, № 1-2, с. 43-49.
DOI: 10.15222/TKEA2023.1-2.43
УДК 621.382
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
(українською мовою)
Литвиненко В. М.1, Шутов С. В.2
Україна, 1Херсонський державний аграрно-економічний університет;
2м. Київ, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.
Розглянуто причини та механізми деградації зворотних характеристик варикапа в процесі формування омічного контакту на основі нікелю. Досліджено вплив низькотемпературного гетерувального відпалу варикапних структур після формування омічного контакту на основі нікелю на рівень зворотного струму варикапів, а також проаналізовано можливі механізми цього впливу. Показано ефективність запропонованої технології з використанням гетерування щодо зниження рівня зворотних струмів і підвищення виходу придатних приладів.
Ключові слова: нікель, омічний контакт, гетерування, варикап, структурні дефекти, зворотний струм.
Дата подання рукопису 25.12 2022
Використані джерела
-
Тимошенков С. П., Бойко А. Н., Гаев Д. С., Калмыков Р. М. Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния. Известия вузов. Электроника, 2017, т. 22, №1, с. 15–19.
-
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. Москва, Радио и связь, 1990, 264 с.
-
Ирха В.И. Флуктуационные процессы в варикапах. Наукові праці ОНАЗ ім. О.С. Попова, 2016, № 1, с. 15–21.
-
Савченко М.П., Старовойтова О.В. Цепь отрицательной обратной связи по шумам для автогенератора с варикапами. Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Сер.: Физико-математические и технические науки, 2016, №2, с. 66–69.
-
Спиридонов А.Б., Лицоев С.В., Петручук И.И. Разработка МДП-варикапа с переносом заряда в СВЧ-диапазоне. Прикладная физика, 2016, № 3, с. 75–80.
-
Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Москва, Высшая школа, 1986. 368 с.
-
Поут Дж., Ту К., Мейер Дж., Розенберг Р. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. Москва, Мир, 1982, 576 с.
-
Литвиненко В.Н., Богач Н.В. Дефекты и примеси в кремнии и методы их геттерирования. Вісник ХНТУ, 2017, т. 60, №1, с. 32–42.
-
Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Москва, Мир, 1984, 472 с.
-
Бахадирханов М.К., Исмайлов Б.К. Геттерирующие свойства кластеров атомов никеля в решетке кремния. Приборы, 2020. т. 240, № 6, с. 44–48.
-
Воробей Р.И., Гусев О.К., Тявловский К.Л. и др. Геттерирование эпитаксиальных структур редкоземельными елементами. Труды 10-й Междунар. конф. «Приборостроение – 2017». РБ, Минск, 2017, с. 73–74.
-
Харченко В.А. Геттеры в кремнии. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2018,
т. 21, № 1, с. 5–17. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2018-1-5-17
-
Литвиненко В.М., Богач М.В. Моделювання процесів гетерування швидкодифундуючих домішок в технології діодів Шотткі. Вісник ХНТУ, 2019, т. 68, №1, с. 25–33.
-
Литвиненко В.М. Фізика та технологія напівпровідникових діодів. Херсон, ФОП Вишемирський В.С., 2018, 184 с.
-
Литвиненко В.М. Исследование влияния сезонных факторов на обратные токи кремниевых варикапов. Вісник ХНТУ, 2016, т. 56, №. 1, с. 39–44.
-
Немцев Г.З. Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д., Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. Зарубежная электронная техника, 1981, т. 245, вып. 311, с. 3–63.
-
Пилипенко В. А., Горушко В. А., Петлицкий А. Н. и др. Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013, № 2–3, с. 43–57.
-
Лабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев А.М. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. Зарубежная электронная техника, № 11(270), 1983, с. 3–66.
-
Верховский Е.И. Методы геттерирования примесей в кремнии. Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1981, вып. 8(838), с. 1–48.
-
Бохан Ю.И., Каменков В.С., Толочко Н.К. Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин. Физика и техника полупроводников, 2015, т. 49, вып. 2, с. 278–282.
-
Vikulin I.M., Litvinenko V.N., Shutov S.V. et al. Enhancing parameters of silicon varicaps using laser gettering. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2018, no. 2, p. 29–32. https://doi.org/10.15222/TKEA2018.2.29
-
Пилипенко В.А., Вечер Д.В., Понарядов В.В. и др. Влияние лазерного геттерирования на структурные и электрические параметры эпитаксиальных слоев кремния. Вестник БГУ. Сер. 1, 2007, вып. 2, с. 39–42.
-
Litvinenko V. N., Vikulin I.M., Gorbachev V.E. Іmprovement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2019, no. 1–2, p. 34–39. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.1-2.34
-
Литвиненко В.М., Вікулін І.М. Вплив властивостей поверхні на зворотні характеристики напівпровідникових приладів. Вісник ХНТУ, 2018, т. 64, № 1, с. 46–56.
-
Litvinenko V. N., Вaganov Ye. A., Vikulin I.M., Gorbachev V.E. Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, no. 1–2, p. 45–50. https://doi.org/10.15222/TKEA2020.1-2.45
-
Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. Киев, Выща школа, 1988, 232 с.
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Москва , Мир, 1986, 176 с.
-
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Москва, Мир, 1977, 562 с.
|