Главная
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2020, № 3-4, с. 17-23.
DOI: 10.15222/TKEA2020.3-4.17
УДК 621.315.592
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
(українською мовою)
Федоренко А. В.

Україна, м. Київ, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України.

Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge-p-i-n-фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм. В результаті розрахунку отримано теоретичну криву їхньої спектральної фоточутливості, яка достатньо близько збігається з даними вимірів. Показано можливість врахування більшості конструкційних та технологічних особливостей фотодіодів при проведенні теоретичного моделювання, що дозволяє значно вдосконалити процес їхнього виготовлення. Таким чином, обрана методика моделювання дозволяє більш точно прогнозувати та оптимізувати параметри фотодіодів для конкретної практичної задачі.

Ключові слова: Ge, p-i-n-фотодіод, спектральна фоточутливість, імпульсний лазерний далекомір, теоретичне моделювання.

Дата подання рукопису 04.06 2020
Використані джерела
  1. Molebny V., McManamon P., Steinvall O. et al. Laser radar: historical prospective - from the East to the West. Optical Engineering, 2016, no. 56(3), pp. 031220, https://doi.org/10.1117/1.OE.56.3.031220
  2. Бокшанский В.Б., Бондаренко Д.А., Вязовых М.В. и др. Лазерные приборы и методы измерения дальности, Москва, Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2012
  3. Фираго А.В., Петрович И.П., Буйко А.С., Шумак Д.В. Увеличение дальности действия лазерных дальномеров с безопасным для глаз излучением. Минск, Изд. центр БГУ, 2010.
  4. Белов И.Ю. Физические основы оптической дальнометрии, Казань, КГУ, 2009.
  5. Федоренко А.В., Качур Н.В., Маслов В.П., Арустамян А.Е. Тенденції розвитку приладів лазерної далекометрії. Матер. V Всеукр. наук.-практ. конф. Наукові дослідження: перспективи інновацій у суспільстві і розвитку технологій, Україна, Харків, 2017, с. 86-90
  6. Федоренко А.В., Мельник В.К. Шляхи підвищення чутливості фотоприймального каналу імпульсного лазерного далекоміра. Матер. першої міжнар. наук.-практ. конф. "Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18)", Україна, Запоріжжя, ЗДІА, 2018, с. 68-69.
  7. Большаков Т.Д., Самохвалов А.К., Уварова С.Д. и др. Способ изготовления и параметры Ge p-i-n-фотодиодов. Прикладная физика, 2012, № 4, с. 115-119
  8. Рюхтин В.В., Добровольский Ю.Г. Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 6, с. 45-48.
  9. Капассо Ф., Пирсолл Т., Поллак М. и др. Техника оптической связи. Фотоприемники, Москва, Мир, 1988.
  10. Глущенко А.Р., Гордиенко В.И., Бурковский А.А. и др. Лазерные системы танковых прицелов, Черкасы, Маклаут, 2009.
  11. Янушенков Ю.Г., Луканцев В.Н., Колосов М.П. Методы борьбы с помехами в оптико-электронных приборах, Москва, Радио и связь, 1981.
  12. Рогальский А. Инфракрасные детекторы, Новосибирск, Наука, 2003.
  13. Хинрикус Х.В. Шумы в лазерных информационных системах, Москва, Радио и связь, 1987.
  14. Зверев Г.М., Землянов М.М., Короннов А.А. Действие мощного импульса лазерного излучения на германиевый лавинный фотодиод. Прикладная физика, 2015, № 2, с. 79-83.
  15. Короннов А.А., Зверев Г.М., М.М. Землянов М.М. и др. Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию. Прикладная физика, 2015, № 4, с. 54-58.
  16. Короннов А.А., Сафутин А.Е., Землянов М.М., Зверев Г.М. Повышение стойкости фотоприемных устройств на базе германиевого лавинного фотодиода к воздействию мощного лазерного излучения. Прикладная физика, 2015, № 6, с. 65-69.
  17. Анисимова И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А. и др. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазон спектра, Москва, Радио и связь, 1984.
  18. Ржанов А.В. (ред.) Свойства структур металл - диэлектрик - полупроводник, Москва, Наука, 1976.
  19. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т.1. Москва, Мир, 1984.
  20. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. Москва, Сов. радио, 1979.
  21. Маслов В.П., Сукач А.В., Тетьоркін В.В. та ін. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Ge p-i-n-фотодіодів. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2018, вип. 53, c. 188-198.
  22. Тетьоркін В.В. та ін. Германієвий фотоперетворювач та спосіб його виготовлення. Пат. № 120653 України, 2020, бюл. № 1.
  23. Луфт Б.Д., Перевощиков В.А., Возмилова Л.Н. и др. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Москва, Радио и связь, 1982.
  24. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химический обработки поверхности полупроводников. Нижний Новгород, ННГУ, 1992.
  25. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкачев И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев, Наук. думка, 1975.
  26. Маслов В.П. та ін. Дистанційний датчик температури. Пат. на корисну модель № 125612 України, 2018, бюл. № 9.
  27. Amotchkina Т., Trubetskov M., Hahner D., Pervak V. Characterization of e-beam evaporated Ge, YbF3, ZnS, and LaF3 thin films for laser-oriented coatings. Appl. Opt., 2020, vol. 59, iss. 5, pp. A40-A47, https://doi.org/10.1364/AO.59.000A40
  28. Palik E. D. Handbook of Optical Constants of Solids. NY, Academic Press, 1985, 468 p.