http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2019.3-4.31

УДК 537.32

Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю

Махній В. П., Березовський М. М., Кінзерська О. В., Мельник В. В.
(англійською мовою)

Ключові слова: селенід цинку, діркова провідність, енергія іонізації, концентрація, люмінесценція.

Досліджено вплив обробки підкладинок n-ZnSe в киплячій водній суспензії солі Ca(NO₃)₂ на їхні електричні та люмінесцентні властивості. Базові підкладинки вирізались з об’ємних бездомішкових кристалів селеніду цинку, вирощених методом Бріджмена із розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що обробка призводить до появи діркової провідності поверхневих шарів підкладинок, величина якої за 300 К складає σ_p ≈ 4 Ом^–1·см^–1. Значення енергії іонізації електрично активних акцепторних центрів, знайдені з температурної залежності опору R_р легованого кальцієм шару селеніду цинку, дорівнюють E_a1 ≈ 0,11 еВ та E_a2 ≈ 0,2 еВ. Значення їхніх концентрацій, розраховані з врахуванням характерних точок зламу на графіку залежності R_р(T), складають для відповідних центрів N_a1 ≈ 1,6·10¹⁸ см^–3 та N_a2 ≈ 3·10¹⁷ см^–3. Оціночна концентрація вільних дірок в отриманих шарах за 300 К дорівнює р₀ ≈ 8·10¹⁷ см^–3. Встановлено, що легування подкладинок кальцієм викликає практично повне «гасіння» низькоенергетичної помаранчевої смуги випромінювання з максимумом поблизу hω_max ≈ 1,95 еВ і значне збільшення ефективності крайової блакитної смуги люмінесценції.

Україна, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича.

Опис статті для цитування: Makhniy V. P., Berezovskiy M. M., Kinzerska O. V., Melnyk V. V. Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019, № 3-4, с. 31–35. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2019.3-4.31.

Cite the article as:: Makhniy V. P., Berezovskiy M. M., Kinzerska O. V., Melnyk V. V. Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2019, no. 3-4, pp. 31–35. http://dx.doi.org/10.15222/ TKEA2019.3-4.31.