http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2019.1-2.34

УДК 621.382

Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування

Литвиненко В. М., Вікулін І. М., Горбачов В. Е.
(англійською мовою)

Ключові слова: гетерування, зворотний струм, діод Шотткі, домішки, окислювальні дефекти упакування.

Діоди Шотткі (ДШ) широко використовуються в багатьох областях електроніки як випрямні діоди невеликої та середньої потужності, а також як імпульсні діоди. При цьому вартість ДШ залишається порівняно високою через низький вихід придатних приладів, що пояснюється високим рівнем зворотних струмів і низькою, в порівнянні з p—n-переходами, пробивною напругою. Ці явища пов'язані з істотною залежністю зворотних струмів ДШ від якості поверхні діодних структур і впливом на них структурних дефектів і сторонніх домішок.
У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини.
У порівнянні з базовою технологією виготовлення структур ДШ показано, що розроблена технологія із застосуванням гетерування структурно-домішкових дефектів дозволяє запобігти утворенню окислювальних дефектів упаковки в активних областях діодів і поліпшити стан поверхні діодних структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів діодів і, як наслідок, істотно (до 10%) підвищити вихід придатних приладів.

Україна, Херсонський національний технічний університет; Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.

Опис статті для цитування: Litvinenkо V. N., Vikulin I. М., Gorbachev V. E. Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019, № 1, с. 34–39. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2019.1-2.34.

Cite the article as:: Litvinenkо V. N., Vikulin I. М., Gorbachev V. E. Improve ment of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2019, no. 1, pp. 34–39. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2019.1-2.34.