http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.21

УДК 621.315.592.2:546.681'19

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури

Абдулхаєв О. А., Йодгорова Д. М., Карімов А. В., Якубов А. А., Кулієв Ш. М.
(російською мовою)

Ключові слова: трьохбар’єрна фотодіодна структура, ефект змикання, механізм токопереносу, фоточутливість.

Роботу присвячено вивченню фізичних особливостей електронних процесів, що протікають в області об’ємного заряду і в базовій області арсенідгалієвих трьохбар’єрних фотодіодних структур m₁—p-GaAs—n-GaAs—m₂ за різних режимів включення, а також виявлення механізмів посилення первинного фотоструму і механізмів спектральної фоточутливості і струмопереносу, що представляє інтерес для використання в оптичних системах. Експериментально показано, що досліджувана структура завдяки ефекту змикання двох суміжних переходів і наявності високоомної колекторної області має ви-соку фоточутливість, подібно фоторезисторній структурі, при цьому зміна опору в ній пов’язана з перерозподілом напруги. Високий зовнішній квантовий вихід (більше одиниці) свідчить про внутрішнє посилення первинного фотоструму. Експериментально показано, що фоточутливість структури в режимі прямого зміщення р—n-переходу більше, ніж в режимі його замикання, а максимальна фоточутливість досягається в «домішковій» області спектра, тобто в розподілі фотоносіїв беруть участь наявні в базовій області домішкові рівні кисню. Залежність струму від напруги описується ступеневою функцією з показником ступеня 0,5, відповідним генераційно-рекомбінаційному процесу в області об'ємного заряду p—n-переходу. Отримані результати вказують на перспективність даних структур для застосування в оптичних системах зв'язку.

Узбекистан, м. Ташкент, Фізико-технічний інститут НВО «Фізика-Сонце» АН РУз.

Опис статті для цитування: Абдулхаев О. А., Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Якубов А. А., Кулиев Ш. М. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018, № 4, с. 21-27. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.21

Cite the article as:: Abdulkhaev O. A., Yodgorova D. M., Karimov A. V., Yakubov A. A., Kuliyev Sh. M. Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4, pp. 21-27. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.21