http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2016.4-5.47

УДК 621.315.592

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе

Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Корецкий Р. Н.

Ключевые слова: микрокристалл, частота, проводимость, сенсор, криогенная температура.

Исследована частотная зависимость активного сопротивления нитевидных кристаллов кремния, легированных бором в разной концентрации, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл — диэлектрик», в температурном интервале 4,2—100 К. На основе анализа полученных характеристик установлены и изучены особенности механизма переноса носителей заряда в нитевидных кристаллах Si в области низких частот. Разработан тензорезистор, работоспособный при криогенных температурах и обеспечивающий точность измерения температуры до 0,1 К.

Украина, Национальный университет «Львовская политехника».