http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2016.4-5.03

УДК 538.91

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
(на английском языке)

Сай П. О.

Ключевые слова: омический контакт, нитрид индия, удельное контактное сопротивление, быстрая термическая обработка.

Рассмотрены ключевые моменты в формировании омических контактов к нитрид индиевых пленок, фокусируясь на n-InN и InAlN/GaN гетероструктурах. Детальный анализ исследований, проведенных за последние три десятилетия, позволяет определить основные принципы формирования подобных контактов. Приведены параметры контактов и оптимальные условия их достижения, рассмотрены различные типы металлизации и определены преимущества и недостатки каждого из них, учитывая основные требования, которым подобные контакты должны отвечать. Сделан акцент на перспективах использования многослойной металлизации с диффузионными барьерами. Рассмотрены общие подходы к формированию омических контактов к InAlN/GaN-гетероструктур.

Украина, г. Киев, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины.