http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2016.2-3.03

УДК 621.383.526, 621.793

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки

Ащеулов А. А., Галочкин А. В., Романюк И. С., Дремлюженко С. Г.

Ключевые слова: фотодиод Шоттки, радиационная стойкость, In2Hg3Te6, Сr.

Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2⋅10⁸ бэр.

Украина, г. Черновцы, Буковинский государственный финансово-экономический университет, Завод «Кварц», ЧНУ имени Юрия Федьковича.