http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2016.1.12 УДК 621.315.592.3 Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы Кондрик А. И. Ключевые слова: CdZnTe, гамма-облучение, детекторы, моделирование, глубокие уровни. Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd0,9Zn0,1Te:Al после g-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного детектора на основе Cd0,9Zn0,1Te:Al от концентрации и уровня энергии глубокого донора, а также от степени легирования алюминием. Определены условия деградации регистрирующих свойств детектора на начальном этапе его эксплуатации под воздействием агрессивной радиационной среды. Украина, ННЦ «Харьковский физико-технический институт». |