УДК 669.762.; 621.315.592

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

Кондрик А. И., Да­цен­ко О. А., Ковтун Г. П.

Ключевые слова: солнечный кремний, тепловые поля, скорость направленной кристаллизации, размеры кристалла.

Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия вы­ра­щи­ва­ния методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления фо­то­элек­три­чес­ких преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его вы­ра­щи­ва­ния, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла.

Украина, ННЦ «Харьковский физико-технический институт».