УДК 621.382.2-548.4

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

Горбань А. Н., Кравчина В. В., Гомольский Д. М., Солодовник А. И.

Ключевые слова: диод, облучение электронами, флюэнс, время восстановления, глубокий уровень, скорость эмиссии, энергия.

Исследована зависимость времени восстановления тока trr от параметров отжига диодных структур после их облучения электронами е^– с энергией 4 и 10 МэВ флюэнсами 6·10¹⁵ и 8·10¹⁴ см^–2, соответственно. Диоды с минимальным временем t_rr и максимальным коэффициентом формы К_rr тока восстановления получены при отжиге структур после облучения е^– с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6·10¹⁵ см^–2. Время t_rr уменьшается при увеличении отношения концентрации центров рекомбинации Е₃(0,37) к концентрации других дефектов. При этом для кремния, легированного при помощи трансмутационных ядерных реакций, необходимо повышать температуру отжига по сравнению с кремнием Чохральского и зонной плавки.

Украина, Запорожский ин-т государственного и муниципального управления, ОАО "Элемент-Преобразователь".

***

Specifies of the formed fast cover silica diodes

Gorban A. N., Kravchina V. V., Gomolsky D. M., Solodovnic A. I.

In work was conducted study to dependencies of time of the reconstruction under annealing diode structures after their irradiations electron to different energy 4 and 10 MеV with stream 6·10¹⁵ sm^–2 and 8·10¹⁴ sm^–2. The Diodes since minimum time of the reconstruction t_rr and maximum factor of the form К_rr current of the reconstruction are received under annealing structures after irradiation electron energy 4 MеV and dose 6·10¹⁵ sm^–2. The time of the reconstruction on diode structure is decreased when there іs raised relations of the concentrations of the recombination centres АlVО E₃(0,37) to the concentrations rest defect. There are temperature annealing is raised for neutron-doped silicon and decrease for Chochralski and floating-zone silicon.