Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe

  • З. Ф. Цибрий Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0003-1718-5569
  • Е. В. Андреева Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • М. В. Апатская Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • С. Г. Бунчук Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • Н. В. Вуйчик Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0002-2893-8346
  • А. Г. Голенков Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0001-8009-7161
  • Н. В. Дмитрук Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • B. B. Забудский Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0003-2033-8730
  • И. А. Лысюк Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • Е. В. Свеженцова Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна https://orcid.org/0000-0002-4309-556X
  • М. И. Смолий Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • Ф. Ф. Сизов Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2017.6.08
Ключові слова: HgCdTe, фотодіод, ІЧ-діапазон, ВАХ

Анотація

Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5—1,5 мм) середньохвильового інфрачервоного діапазону спектра на базі епітаксійних шарів кадмій-ртуть-телур (КРТ) Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики 3—5 мкм для досягнення необхідних експлуатаційних параметрів Встановлено, що отримані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим).

Посилання

Michael Kinch. Fundamentals of Infrared Detector

Materials. Bellingham, Washington, SPIE Press, 2007, 173 p.

Sizov F.F. Fotoelektronika dlya sistem videniya

[Photoelectronics for imaging systems]. Kyiv, Akademperiodyka,

, 455 p. (Rus)

MCT’s Advantages as an Infrared Imaging Material. http://www.leonardodrs.com/media/4279/201306_advantages_of_mct.pdf

Peter Capper, James Garland. Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications. Wiley and Sons, 2011.

Filachev A.M., Taubkin I.I., Trishenkov M.A. Sovremennoe sostoyanie i magistral`nye napravleniya razvitiya tverdotel`noi fotoelektroniki. [Current state and main directions of development of solid-state photoelectronics]. Moskow, Phizmatkniga, 2010, 125 p. (Rus).

Sizov F. IR-photoelectronics: photon or thermal detectors? Outlooks. Sensor Electronics and Ìicrosystem Technologies, 2015, vol. 12, iss. 1, pp. 26-52.

Wimmers J.T., Davis R.M., Niblack C.A., Smith D.S. Indium antimonide detector technology at Cincinnati Electronics Corporation. Proc. SPIE, 1988, vol. 930, pp.125-138.

Chu J., Sher A. Physics and properties of narrow-gap semiconductors. Springer, N.Y., 2008, 606 p.

Saxena R. S., Bhan R. K., Sharma R. K. Sensitivity analysis of MWIR HgCdTe photodiodes physics of semiconductor devices. International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. https://doi.org/10.1109/IWPSD.2007.4472557

Sizov F., Tsybrii Z., Vuichyk M., Andreyeva K., Apatska M., Bunchuk S., Dmytruk N., Smolii M. HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region. Sensor Electronics and Ìicrosystem Technologies, 2016, vol. 13, no. 1, pp. 49-55.

Sizov F., Zabudsky V., Golenkov O., Andreeva K., Guzenko G.O., Lysiuk ². KIPiA, 2007, no. 1, pp. 4-7. (Rus)

Опубліковано
2017-12-26
Як цитувати
Цибрий, З. Ф., Андреева, Е. В., Апатская, М. В., Бунчук, С. Г., Вуйчик, Н. В., Голенков, А. Г., Дмитрук, Н. В., ЗабудскийB. B., Лысюк, И. А., Свеженцова, Е. В., Смолий, М. И., & Сизов, Ф. Ф. (2017). Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 8-13. https://doi.org/10.15222/TKEA2017.6.08
Номер
№ 6 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2017 Цибрий З. Ф., Андреева Е. В., Апатская М. В., Бунчук С. Г., Вуйчик Н. В., Голенков А. Г., Дмитрук Н. В., Забудский В. В., Лысюк И. А., Свеженцова Е. В., Смолий М. И., Сизов Ф. Ф.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.