Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
Анотація
Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование.
Посилання
Nel J. M., Auret F. D., Wu L., Legodi M. J., Meyer W. E., Hayes M. Fabrication and characterisation of NiO/ZnO structures. Sensors and Actuators B: Chemical, 2004, vol. 100, pp. 270-276. http://dx.doi.org/:10.1016/j.snb.2003.12.054.
Sasi, B., Gopchandran, K. G., Manoj, P. K., Koshy, P., Rao, P. P., Vaidyan, V. K.. Preparation of transparent and semiconducting NiO films. Vacuum, vol. 68, pp. 149-154. http://dx.doi.org/:10.1016/S0042-207X(02)00299-3
Aven M., Prener J.S. Physics and Chemistry of II-VI Compaunds. Amsterdam, North-Holland, 1967, 580 p.
Solovan M.N., Brus V.V., Maryanchuk P.D., Ilashchuk M.I., Rappich J., Nickel N., Abashin S.L. Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-ТіN/p-CdTe. Semiconductor Science and Technology, 2014, vol. 29, no. 015007. http://dx.doi.org/:10.1088/0268-1242/29/1/015007.
Sze S.M., Kwok K. Physics of semiconductor devices, New Jersey, Wiley, 2007, 815 p.
Sharma B.L., Purohit R.K. Semiconductor heterojunctions, Pergamon Press, 1974.
Farenbukh A., B’yub R. [Solar cells: Theory and Experiment]. Moscow, Energoatomizdat, 1987, 278 p.
Авторське право (c) 2016 Г. П. Пархоменко, П. Д. Марьянчук
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
