Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе

  • T. T. Ковалюк Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • М. Н. Солован Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • А. И. Мостовой Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • Э. В. Майструк Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • Г. П. Пархоменко Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
  • П. Д. Марьянчук Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2015.5-6.45
Ключові слова: кристалл, магнитная восприимчивость, гетеропереход, тонкая пленка

Анотація

Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu2ZnSnTe4. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO2 и МоОх на подложки из кристаллов Cu2ZnSnTe4 изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4, n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 и n-MoO/p-Cu2ZnSnTe4. Исследованы их электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямом и обратном смещениях.

Посилання

Wang W., Winkler M. T., Gunawan O., Gokmen T., Todorov T. K., Zhu Y., Mitzi D. B. Device characteristics of CZTSSe thin-film solar cells with 12.6% efficiency. Advanced Energy Materials, 2014, vol. 4, pp. 1-5. DOI: http://dx.doi.org/10.1002/aenm.201301465.

Hironori Katagiri, Kazuo Jimbo, Win Shwe Maw, Koichiro Oishi, Makoto Yamazaki, Hideaki Araki, Akiko Takeuchi. Development of CZTS-based thin film solar cells. Thin Solid Films, 2009, vol. 517, no. 7, pp. 2455-2460. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2008.11.002.

Alferov Zh. I. The history and future of semiconductor heterostructures. Semiconductors, 1998, vol. 32, is. 1, pp. 1-14.

Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion. New York, 1983.

Kovaliuk T. T., Maryanchuk P. D., Maistruk E. V., Koziarskyi D. P. Optical properties of Hg1–x–CdxDyySe crystals. Russian Physics Journal, 2013, vol. 56, no. 7, pp. 831-836. http://dx.doi.org/10.1007/s11182-013-0106-5.

Solovan M.N., Brus V.V., Maryanchuk P.D., Ilashchuk M.I., Rappich J., Nickel N., Abashin S.L. Fabrication and characterization of anisotype heterojunctions n-ТіN/p-CdTe. Semiconductor Science and Technology, 2014, vol. 29, no. 015007. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/1/015007.

Sharma B.L., Purohit R.K. Semiconductor heterojunctions. Pergamon Press, 1974.

Опубліковано
2015-12-25
Як цитувати
КовалюкT. T., Солован, М. Н., Мостовой, А. И., Майструк, Э. В., Пархоменко, Г. П., & Марьянчук, П. Д. (2015). Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 45-49. https://doi.org/10.15222/TKEA2015.5-6.45
Номер
№ 5–6 (2015): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2015 Ковалюк Т. Т., Солован М. Н., Мостовой А. И., Майструк Э. В., Пархоменко Г. П., Марьянчук П. Д.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.