Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов

  • А. Л. Кукла Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • C. B. Лозовой Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • A. C. Павлюченко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • C. H. Нагибин Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: ионоселективный полевой транзистор, рН-ПТ-электрод, рН-чувствительность, метрологические параметры

Анотація

Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродная конфигурация датчика. Показано, что по параметрам точности, воспроизводимости и стабильности измерений электроды удовлетворяют требованиям типовых применений.

Опубліковано
2013-06-14
Як цитувати
Кукла, А. Л., ЛозовойC. B., ПавлюченкоA. C., & НагибинC. H. (2013). Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2–3), 61-68. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.61
Номер
№ 2–3 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Кукла А. Л., Лозовой С. В., Павлюченко А. С., Нагибин С. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.