Технология изготовления контактов к карбиду кремния

  • Я. Я. Кудрик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Р. И. Бигун Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Р. Я. Кудрик Львовський национальный университет имени Ивана Франко, Львов, Украина
Ключові слова: омический контакт, SiC, удельное сопротивление

Анотація

Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
Кудрик, Я. Я., Бигун, Р. И., & Кудрик, Р. Я. (2013). Технология изготовления контактов к карбиду кремния. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 25-37. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25
Номер
№ 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Кудрик Я. Я., Бигун Р. И., Кудрик Р. Я.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.