Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

  • A. B. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • Ф. А. Гиясова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • M. A. Мирджалилова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • Г. О. Асанова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • O. A. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • Ж. Ф. Мухутдинов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
Ключові слова: фотодиодные структуры, барьер Шоттки, выпрямляющий переход, двухсторонняя чувствительность

Анотація

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл — полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.

Опубліковано
2013-02-18
Як цитувати
КаримовA. B., Ёдгорова, Д. М., Гиясова, Ф. А., МирджалиловаM. A., Асанова, Г. О., АбдулхаевO. A., & Мухутдинов, Ж. Ф. (2013). Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 9-12. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09
Номер
№ 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2013 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Мирджалилова М. А., Асанова Г. О., Абдулхаев О. А., Мухутдинов Ж. Ф.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.