Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

Анотація

Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33–33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой «соб­стве­н­ный оксид – p-InSe». Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные па­ра­мет­ры, а максимальная незначительно снижает ток короткого замыкания и фо­то­чув­стви­те­ль­ность приборов. При этом наблюдается рост вольт-ваттной чув­стви­тель­но­с­ти и ми­ни­ма­ль­ное увеличение коэффициента неидеальности вольт-амперной харак­теристики.