Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

  • С. В. Новицкий Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: фосфид индия, омический контакт, дислокации, удельное контактное сопротивление

Анотація

Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.

Опубліковано
2012-08-30
Як цитувати
Новицкий, С. В. (2012). Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 32-34. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32
Номер
№ 4 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Novitskyi S.V.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.