Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

  • Н. Г. Старжинский Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • Б. В. Гринёв Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • В. Д. Рыжиков Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • Ю. В. Mалюкин Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • А. В. Жуков Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • О. Ц. Сидлецкий Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • И. М. Зеня Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • А. И. Лалаянц Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
Ключові слова: кристаллы AIIBVI-соединений, сульфид цинка, сцинтилляционные характеристики, центры люминесценции, халькогенидные сцинтилляторы

Анотація

Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффективного атомного номера (Zэфф=26–33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8–3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения.

Опубліковано
2012-08-30
Як цитувати
Старжинский, Н. Г., Гринёв, Б. В., Рыжиков, В. Д., MалюкинЮ. В., Жуков, А. В., Сидлецкий, О. Ц., Зеня, И. М., & Лалаянц, А. И. (2012). Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 25-28. вилучено із http://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.25