Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

  • А. И. Кондрик ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Харьков, Украина
  • О. А. Даценко ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Харьков, Украина
  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Харьков, Украина
Ключові слова: солнечный кремний, тепловые поля, скорость направленной кристаллизации, размеры кристалла

Анотація

Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия вы­ра­щи­ва­ния методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления фо­то­элек­три­чес­ких преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его вы­ра­щи­ва­ния, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла.

Опубліковано
2012-06-25
Як цитувати
Кондрик, А. И., Даценко, О. А., & Ковтун, Г. П. (2012). Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния». Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 21-25. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21
Номер
№ 3 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Кондрик А. И., Да­цен­ко О. А., Ковтун Г. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.