Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку

  • И. И. Рубцевич Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • Я. А. Соловьев Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • В. Б. Высоцкий Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь Branch "Transistor" of JSC "Integral", Minsk, Belarus
  • А. И. Дудкин Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь Branch "Transistor" of JSC "Integral", Minsk, Belarus
  • H. C. Ковальчук Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Ключові слова: микроэлектромеханические системы, внутренние механические напряжения, диэлектрические пленки, нитрид кремния, оксид кремния

Анотація

Проведены исследования зависимости механических напряжений от режимов осаждения пле­нок нитрида и оксида кремния, полученных методом стимулированного плазмой химического оса­ж­де­ния слоев из газовой фазы (PECVD). Установлена связь между ключевыми па­ра­ме­т­ра­ми оса­ж­де­ния, такими как рабочее давление в камере, расход рабочих газов, скорость оса­ж­де­ния и уровень внутренних механических напряжений.

Опубліковано
2011-08-24
Як цитувати
Рубцевич, И. И., Соловьев, Я. А., Высоцкий, В. Б., Дудкин, А. И., & КовальчукH. C. (2011). Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом пла­з­мо­хи­ми­чес­кого осаждения на кремниевую подложку. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 29-32. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.4.29
Номер
№ 4 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Рубцевич И. И., Соловьев Я. А., Высоцкий В. Б., Дудкин А. И., Ковальчук Н. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.