Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС

  • A. H. Горбань Запорожский классический приватный университет, Украина
  • B. B. Кравчина Запорожская государственная инженерная академия, Украина
Ключові слова: комплементарные транзисторы, диэлектрическая изоляция, vтехнологические процессы, радиационно стойкие ИС

Анотація

Разработана конструкция вертикальных комплементарных транзисторов с полной ди­э­лек­три­чес­кой изоляцией, разработаны новые технологические процессы создания на их основе ра­диа­ци­он­но стойких ИС с параметрами, которые обеспечивают низкие значения тока утечки на­ря­ду со значительными величинами прямого тока и пробивного напряжения при частоте об­ме­на сигналов информации на уровне 500 кГц.

Опубліковано
2011-06-28
Як цитувати
ГорбаньA. H., & КравчинаB. B. (2011). Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для ра­диа­ци­он­но стойких ИС. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 23-26. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.23
Номер
№ 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Горбань А. Н., Кравчина В. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.