Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов

Анотація

На основе эффекта электронно-ионного взаимодействия предложен новый подход к созданию на Si-МОП-транзисторах долговременной перестраиваемой памяти с произвольным до­сту­пом. Различие в уровнях сигналов «ноль» и «единица» зависит от режима считывания и мо­жет варьироваться в широких пределах. Значения времени записи и стирания определяются размерами транзистора и составляют миллисекунды. Полученные результаты дают ос­но­ва­ния полагать, что по сравнению с традиционной Flash-памятью такое запоминающее ус­трой­ство будет более надежным и долговечным.