Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Анотація

Описываются результаты исследований технологии получения изотермическим низ­ко­тем­пе­ра­тур­ным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур на базе GaAs, легированного Sn и Bi. Для получения планарных слоев структур биполярных транзисторов на базе GaAs типа n⁺–n–n⁰–p и планарных слоев структур типа i–n⁰–n–n⁺ полевых транзисторов с барьером Шоттки решена комплексная технологическая задача. Достигнута неоднородность по толщине менее 3% и уровню легирования менее 5%. Это позволило улучшить эксплуатационные характеристики ПТШ.