Вли­я­ние об­лу­че­ния кре­м­ния ни­з­ко­энер­ге­ти­че­ски­ми ио­на­ми ар­го­на на об­ра­зо­ва­ние в нем элек­три­че­ски ак­тив­ных де­фек­тов

Анотація

Пред­став­ле­ны ре­зу­ль­та­ты ис­сле­до­ва­ний вли­я­ния тра­в­ле­ния крем­ния р-ти­па ио­на­ми ар­го­на с энер­ги­ей 3—6 кэВ на об­ра­зо­ва­ние элек­три­че­ски ак­ти­в­ных де­фек­тов (ЭАД) в при­по­ве­рх­но­ст­ном слое по­лу­про­вод­ни­ка. Фо­то­чув­ст­ви­те­ль­ность ди­о­дов Шот­тки, сфор­ми­ро­ва­н­ных на ио­нно-тра­в­лен­ной по­ве­рх­но­сти, воз­рас­та­ет, дос­ти­гая мак­си­ма­ль­ных зна­че­ний в об­ла­сти ЭАД. По­ка­за­но, что тра­в­ле­ние кре­м­ния ио­на­ми ни­з­ких эне­р­гий яв­ля­ет­ся эф­фек­тив­ным сред­ст­вом це­ле­на­пра­в­лен­ной мо­ди­фи­ка­ции элек­тро­фи­зи­че­ских свойств его по­ве­рх­но­сти.