Об­ъем­ные оп­ти­че­ские по­кры­тия из ха­ль­ко­ге­ни­д­ных сте­кол для по­лу­про­во­д­ни­ко­вых ис­то­ч­ни­ков ИК-из­лу­че­ния

  • В. Н. Кабаций Мукачевский государственный университет, Украина
Ключові слова: полупроводниковые источники ИК–излучения, излучающие активные элементы, халькогенидные сте­к­ла, на­не­се­ние оптических покрытий

Анотація

По­ка­за­на воз­мож­ность ис­по­ль­зо­ва­ния мно­го­ком­по­не­нт­ных ха­ль­ко­ге­нид­ных сте­кол Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) в ка­че­ст­ве ди­элек­три­че­ских ма­те­ри­а­лов для оп­ти­че­ско­го по­к­ры­тия по­лу­про­во­д­ни­ко­вых из­лу­ча­ю­щих ак­ти­в­ных эле­ме­н­тов, ра­бо­та­ю­щих при ком­нат­ной тем­пе­ра­ту­ре в спек­тра­ль­ном ди­а­па­зо­не 2,5—5,0 мкм. Раз­ра­бо­тан эф­фек­тив­ный спо­соб на­не­се­ния оп­ти­че­ско­го пок­ры­тия раз­лич­ной фор­мы. Ис­поль­зуя та­кие оп­ти­че­ские по­кры­тия, уда­ет­ся су­зить ди­а­грам­му на­пра­в­лен­но­сти вдоль оси из­лу­че­ния ак­тив­но­го эле­мен­та до 15° и уве­ли­чить мощ­ность его из­лу­че­ния в 3—4 раза.

Опубліковано
2009-08-30
Як цитувати
Кабаций, В. Н. (2009). Об­ъем­ные оп­ти­че­ские по­кры­тия из ха­ль­ко­ге­ни­д­ных сте­кол для по­лу­про­во­д­ни­ко­вых ис­то­ч­ни­ков ИК-из­лу­че­ния. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 38-44. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2009.4.38