Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
Анотація
Показана возможность использования многокомпонентных халькогенидных стекол Ge(Pb)–Sb(Ga)–S(Se) в качестве диэлектрических материалов для оптического покрытия полупроводниковых излучающих активных элементов, работающих при комнатной температуре в спектральном диапазоне 2,5—5,0 мкм. Разработан эффективный способ нанесения оптического покрытия различной формы. Используя такие оптические покрытия, удается сузить диаграмму направленности вдоль оси излучения активного элемента до 15° и увеличить мощность его излучения в 3—4 раза.
Авторське право (c) 2009 Кабаций В. Н.

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.