Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике

  • З. Ю. Готра Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Дж. Тейт Гос. ун-т штата Орегон, Корваллис, США
  • Р. Кикинеши Гос. ун-т штата Орегон, Корваллис, США
  • А. А. Закутаев Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Л. М. Ракобовчук Национальный университет «Львовская политехника», Украина
Ключові слова: BaCuTeF, прозрачные полупроводники р-типа, p -контакты

Анотація

Ис­сле­до­ва­ны хи­ми­чес­кий сос­тав, струк­тур­ные свой­ства и эле­ктро­фи­зи­чес­кие па­ра­мет­ры тон­ких пле­нок BaCuTeF. Изу­че­на за­ви­си­мость ко­ли­чес­тва из­бы­точ­ной ме­ди от па­ра­мет­ров тех­но­ло­ги­чес­ко­го про­цес­са на­пы­ле­ния. До­бав­ле­ние из­бы­точ­ной ме­ди при­во­дит к по­вы­ше­нию про­во­ди­мос­ти пле­нок за счет уве­ли­че­ния под­виж­нос­ти ды­рок. Тон­кие плен­ки BaCuTeF мо­гут быть ис­поль­зо­ва­ны для из­го­тов­ле­ния про­зрач­ных р++-кон­так­тов к эле­мен­там по­лу­про­вод­ни­ко­вой элек­тро­ни­ки.

Опубліковано
2008-12-30
Як цитувати
Готра, З. Ю., Тейт, Д., Кикинеши, Р., Закутаев, А. А., & Ракобовчук, Л. М. (2008). Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 54-57. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.54