Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем

  • Б. А. Шангереева Дагестанский государственный технический университет, Махачкала, Россия
Ключові слова: диффузия фосфора,, активная область, технологический режим, транзистор, твердый планарный источник, электрофизические характеристики

Анотація

Рассмотрены результаты разработки и осуществления базового процесса диффузии фосфора для формирования активной области силового кремниевого транзистора. Показано, что полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками.

Опубліковано
2008-02-28
Як цитувати
Шангереева, Б. А. (2008). Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 54-56. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.1.54
Номер
№ 1 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Шангереева Б. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.