Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

Анотація

Рассмотрены модель возникновения дефектов в виде пятен на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе на основе фтороводородной кислоты, а также модель удаления этих дефектов в растворах химикатов. Исследовано влияние на количество дефектов скорости вращения центрифуги во время сушки и рельефа структур, создаваемых на пластине. Показана возможность удаления дефектов методом химической обработки в перекисно-аммиачных растворах (ПАР) или при помощи последовательности операций химической очистки в смеси Каро и в ПАР, а также травления SiO₂.