Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

Анотація

Исследовано влияние условий осаждения на процесс зародышеобразования, структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом (ПКЛК). При содержании кислорода 2,5–22,0 ат.% ПКЛК имеет квазикристаллическую структуру. Плотность ПКЛК во всем исследованном диапазоне составила 2,2–2,3 г/см³. Предложено объяснение полученных результатов на основе многомаршрутного процесса осаждения слоев в системе SiH₄–N₂O. Полученные результаты использованы для оптимизации процессов изготовления изделий силовой электроники.