Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs

Анотація

Приведены результаты исследования спектров фото­чув­стви­тель­ности полученных структур Ni–n-GaAs в области энергии фотонов h=0,9…2,3 эВ при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля. Впервые экспериментально установлено, что фотоны с энергией h=0,9…1,25 эВ не создают возбужденных электронов в слое Ni, и эмиссия электронов из Ni в GaAs не происходит. Показана перспективность применения фоточувствительных структур Ni–n-GaAs для создания солнечных элементов.