Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов

  • В. П. Рева НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • С. В. Коринец НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Л. А. Писаренко НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • С. Е. Духнин НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Н. А. Барсукова НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: схема считывания, транзистор прямой инжекции, ПЗС-технология, КМОП-технология

Анотація

Проведен сравнительный анализ преимуществ и недостатков технологий изготовления схем считывания с инфракрасных ИК-фотодиодов - технологии комплементарных МОП-схем и технологии приборов с зарядовой связью на базе n-канальных МОП-структур. Приведены параметры экспериментальных образцов интегральных схем считывания (ИCC) форматом 2×64, изготовленных по этим технологиям, демонстрирующие возможность изготовления ИСС, работающих при криогенных температурах.

Опубліковано
2007-10-28
Як цитувати
Рева, В. П., Коринец, С. В., Писаренко, Л. А., Духнин, С. Е., & Барсукова, Н. А. (2007). Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 46-49. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.46
Номер
№ 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Рева В. П., Коринец С. В., Писаренко Л. А., Духнин С. Е., Барсукова Н. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.