Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью

  • А. Байдуллаева Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. В. Борщ Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. П. Велещук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • О. И. Власенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Б. К. Даулетмуратов Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. Н. Левицкий Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • П. Е. Мозоль Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: CdTe, пленка теллура, переключающий элемент с памятью

Анотація

Исследовано формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера, а также показан метод изготовления структуры со свойством электронного переключения с памятью.

Опубліковано
2007-10-28
Як цитувати
Байдуллаева, А., Борщ, В. В., Велещук, В. П., Власенко, О. И., Даулетмуратов, Б. К., Левицкий, С. Н., & Мозоль, П. Е. (2007). Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 40-43. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.40
Номер
№ 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Байдуллаева А., Борщ В. В., Велещук В. П., Власенко А. И., Даулетмуратов Б. К., Левицкий С. Н., Мозоль П. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.