Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа

  • В. В. Баранов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • Я. А. Соловьев Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • Г. В. Кошкаров Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Ключові слова: барьеры Шоттки, высокотемпературный микромонтаж, электрические свойства приборов

Анотація

Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, собираемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С. Показано, что данным технологическим требованиям удовлетворяет барьер Шоттки типа V/n-Si с высотой 0,654 В. При этом установлено наличие в переходном слое дисилицида ванадия, образующегося в процессе микромонтажа приборов. Рекомендовано также использовать двухслойную пассивирующую структуру SiO2/Ta2O5.

Опубліковано
2007-10-28
Як цитувати
Баранов, В. В., Соловьев, Я. А., & Кошкаров, Г. В. (2007). Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 20-21. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.20
Номер
№ 5 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Баранов В. В., Соловьев Я. А., Кошкаров Г. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.