Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs

  • Д. Мелебаев Туркменский государственный университет имени Магтымгулы, Ашгабат, Туркменистан
  • Г. Д. Мелебаева Туркменский государственный университет имени Магтымгулы, Ашгабат, Туркменистан
  • Ю. В. Рудь Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
  • В. Ю. Рудь Санкт-Петербургский политехнический университет, Россия
Ключові слова: структура , химический метод получения, фоточувствительность, высота барьера Шоттки, освещение, фотоэлектрический метод определения

Анотація

Исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au-n-GaAs, полученные химическим методом. Впервые обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра увеличивается примерно на порядок. Предложен усовершенствованный вариант фотоэлектрического метода определения высоты барьера с высокой точностью и надежностью, что позволяет судить о качестве границы раздела "металл-полупроводник" и "металл-диэлектрик-полупроводник". Метод может найти применение при разработке новых приборов полупроводниковой электроники.

Опубліковано
2007-06-29
Як цитувати
Мелебаев, Д., Мелебаева, Г. Д., Рудь, Ю. В., & Рудь, В. Ю. (2007). Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 33-37. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.33
Номер
№ 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Мелебаев Д., Мелебаева Г. Д., Рудь Ю. В., Рудь В. Ю.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.