Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • Н. Я. Сыворотка НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: эпитаксиальные слои, редкоземельные элементы, точка инверсии

Анотація

Проведен анализ свойств эпитаксиальных слоев GaAs, полученных из галлиевых расплавов, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ). Установлено, что каждому РЗЭ соответствует определенная критическая концентрация в расплаве, выше которой наблюдается инверсия типа проводимости эпитаксиальных слоев. Наиболее пригодными РЗЭ для получения эпитаксиальных слоев GaAs с высокой подвижностью электронов (27000—45000 см²/(В·с), 77 К), низкой концентрацией собственных дефектов и совершенной морфологией поверхности являются Sc, Gd, Yb.

Опубліковано
2007-04-30
Як цитувати
Круковский, С. И., & Сыворотка, Н. Я. (2007). Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 47-51. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.47
Номер
№ 2 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Круковский С. И., Сыворотка Н. Я.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.